TMR сензор магнит

Някои Въвеждане на TMR сензор

TMR сензор е датчик за ефект на магнитосъпротива, който е приложен към промишленото приложение през последните години. TMR сензор има много по-висока скорост на промяна на съпротивлението в сравнение с AMR и GMR сензор, така получени много заслуги включват ниска цена и консумация на енергия, висока честота на реакция и чувствителност. Хонгю също е събрал известен опит в tMR сензор магнит, защото на широкото използване на TMR сензор.

Какво е тунелиране магнитозащитна ефект?

Структурата на сандвича, изработена от два феромагнитни слоя и изолационен слой, може да се нарече магнитни тунелни кръстовища (MTJs). Тунелиране магнитно съпротивление на MTJs ще бъдат променени при промяна на относителната ориентация на магнитния момент на два феромагнитни слоя, и този феномен е известен като тунелиране magetoresistance (TMR) ефект. Структурата на TMR и GMR компонент е основно една и съща, а текущата посока на TMR и GMR компонент е перпендикулярна и успоредна съответно на слоя.

Посоката на магнетизация на закачения слой е фиксирана, а посоката на магнетизация на свободния слой може да се регулира според към външното магнитно поле, следователно, електрическата устойчивост на TMR компонент също ще се промени. TMR компонентът показва най-малко съпротивление, след като посоката на магнетизация на свободния слой е успоредна на закачения слой и след това високотоков поток през бариерата. Вместо това устойчивостта значително ще се увеличи, когато магнитизация посока антипаралел, по този начин малко ток поток през бариерата.

За магнита на TMR сензора

Екипът на Hongyu ще помогне на клиентите да изберат подходящ TMR сензор според подробните технически спецификации, и с нетърпение към сътрудничество със съответните клиенти.

Популярни тагове: tmr сензор магнит